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La potencia máxima que puede disipar el JFET en condiciones normales es igual a P=VDS x ID.
En un transistor de efecto de campo (FET), no circula corriente por el circuito de la compuerta, por lo que dicho circuito tiene potencia prácticamente nula. En cambio, por el circuito del drenaje circula la corriente ID, que en el transistor generará la potencia estática P=ID x VDS, siendo VDS la tensión entre drenaje y fuente.
En cuanto a las demás opciones, la tensión VGS corresponde a una juntura polarizada en inversa, por lo que esta tensión no desarrolla potencia y VP es una tensión intrínseca.
Si está configurado en clase A (constantemente en la zona de saturación), esta potencia estática será la potencia máxima que disipará el transistor.
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